AI요약

기존 수직 구조 LED는 상부 전극에 의한 빛 가림 문제로 광효율 및 전력 변환 효율이 제한되는 단점이 있습니다. 본 기술은 이러한 문제를 해결하기 위해 제1 도전형 반도체층의 두께를 상이하게 조절하는 혁신적인 반도체 발광 다이오드 구조와 그 제조 방법을 제공합니다. 이를 통해 상부 전극에 의한 빛 가림 현상을 효과적으로 개선하고, 전류 제한층 없이도 광추출효율과 전력 변환 효율을 획기적으로 향상시키는 고성능 LED를 구현할 수 있습니다. 차세대 고효율 LED 개발에 핵심적인 기여를 할 것으로 기대됩니다.