AI요약

기존 질화물 LD 소자는 p형 클래드층의 높은 전기저항과 p형 전극층에서의 광흡수, 그리고 크랙 발생 문제로 인해 고효율 달성에 어려움을 겪었습니다. 본 발명은 이러한 한계를 극복하기 위해 투명전도산화물(TCO)층과 유전체층을 도입하여, p형 클래드층을 얇게 하거나 제거하는 혁신적인 제조 방법을 제공합니다. 이를 통해 소자의 전기저항을 획기적으로 낮추고 광손실을 최소화하여 광출력을 증대시킵니다. 결과적으로 동작 전압 감소와 광전변환효율 향상은 물론, 크랙 발생까지 방지하여 질화물 레이저 소자의 전반적인 성능과 안정성을 극대화합니다. 고성능 질화물 LD 소자 개발에 기여하는 핵심 기술입니다.