AI요약

기존 리소그래피용 포토레지스트 고분자 제조 방식은 배치별 균일성 및 생산성 확보에 어려움이 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하고자 연속 흐름 반응 공정을 이용한 자외선 리소그래피용 포토레지스트 고분자 제조 방법을 제시합니다. 이 공정을 통해 열전달 불균일성 문제를 해소하고, 고분자 조성비 최적화로 우수한 전환율을 달성합니다. 결과적으로 생산 정밀도를 높여 불량률을 최소화하며, 고품질의 포토레지스트 고분자를 안정적으로 대량 생산할 수 있습니다.