AI요약

기존 MISFET 및 MESFET 반도체 소자는 각각의 한계를 가지고 있습니다. MISFET은 우수한 ON 전류를 가지나 SS 특성이 아쉽고, MESFET은 뛰어난 SS를 제공하지만 ON 전류 및 누설전류에 단점이 있습니다. 본 기술은 MISFET과 MESFET의 이종구조 융합을 통해 이러한 문제점을 해결합니다. MISFET의 높은 점멸비(on/off ratio)와 MESFET의 우수한 SS(Subthreshold Slope)를 동시에 확보하여, 저전력 고성능 반도체 소자 구현을 가능하게 합니다. 이는 차세대 전자소자 개발에 있어 전력 소비를 획기적으로 줄이는 새로운 구동 방식을 제시합니다.